Intel - 6nm 节点的 RibbonFET GAA CMOS Intel 展示了栅长为 6nm 的全环绕栅（Gate-All-Around, GAA）硅 RibbonFET CMOS 晶体管，并对其进行了全面表征。为了准确评估在极短栅长下的“真实”短沟道效应及其性能，开发了一种单纳米带（lNR）结构，使其源/漏区与衬底鳍 intel cmos gaa ribbonfet gaacm 2025-10-02 00:45 7